반도체·산업
4F² DRAM(4F² D램)
메모리 셀 하나가 차지하는 면적을 최소 선폭(F) 제곱의 4배로 줄인 차세대 D램 구조로, 트랜지스터를 수직으로 세워 같은 면적에 더 많은 셀을 넣는다.
4F² D램이란?
4F² D램은 메모리 셀 하나가 차지하는 면적을 4F²(F는 반도체 공정의 최소 선폭)까지 줄인 D램 구조입니다. 현재 상용 D램의 주류는 6F² 구조인데, 셀 면적을 약 3분의 2 수준으로 줄이면 같은 크기의 칩에 더 많은 셀을 넣을 수 있어 저장 밀도가 올라갑니다.
왜 구조를 바꿔야 하나?
선폭을 줄이는 미세화만으로는 10나노 아래에서 누설 전류와 비용 문제가 커집니다. 4F²는 트랜지스터 채널을 수평에서 수직으로 세우는 방식(수직 채널 트랜지스터, VCT 또는 VSG)으로 면적을 줄이기 때문에, 기존 제조 공정을 그대로 쓸 수 없고 핵심 공정을 다시 설계해야 합니다.
누가 개발하고 있나?
| 회사 | 공개된 계획 |
|---|---|
| SK하이닉스 | 2025년 4F² 로드맵 공개 |
| 삼성전자 | 2028년 10나노 이하 4F² D램 양산 목표(국내 언론 보도) |
| 창신메모리(CXMT) | 2026년 말 4F² 기반 서버용 DDR5 RDIMM 출시 계획 발표 |
투자자가 볼 포인트
4F² 전환은 D램 업체 간 기술 격차를 다시 정하는 분기점이 될 수 있습니다. 후발 주자가 먼저 양산에 성공하면 선두 업체의 가격 결정력이 약해질 수 있어, 관련 발표 하나에도 메모리 주가가 크게 흔들리곤 합니다. 다만 발표와 실제 양산·수율 확보 사이에는 보통 상당한 시간이 걸립니다.
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