SK하이닉스, 미국 인디애나 첫 HBM 공장 착공…"2030년 미국 핵심 생산기지로"

SK하이닉스는 27일(현지시간) 인디애나주 웨스트라피엣 퍼듀대 인근 부지(약 133.5에이커)에서 첫 미국 생산시설 착공식을 열었다. 총투자액은 40억달러 이상이며, 마이크 브라운 인디애나 주지사, 토드 영 상원의원, 미치 대니얼스 퍼듀대 총장, 강경화 주미대사, 곽노정 CEO 등이 참석했다. 회사는 퍼듀대와 어드밴스드 패키징 연구개발 협력 양해각서(MOU)도 체결했다.

이 시설은 웨이퍼를 처음부터 만드는 전공정 팹이 아니라, 고대역폭메모리(HBM)를 쌓아 올려 완제품으로 조립·검사하는 어드밴스드 패키징 라인과 AI 반도체 연구센터로 채워진다. 한국에서 생산한 D램 웨이퍼를 인디애나로 보내 패키징·테스트를 거친 뒤 '미국산(Made in USA)' 제품으로 엔비디아·마이크로소프트·구글 등 현지 고객에 공급하는 방식이다.

클린룸은 2028년 하반기에 가동하고, 차세대 HBM(HBM4E) 양산은 2029년 하반기에 시작할 계획이다. 정상 가동 시 약 1,000명을 직접 고용하며, 건설·운영을 포함하면 지역 내에서 약 7,000개의 일자리가 생길 것으로 회사는 추산한다. 2024년 12월 확정된 칩스법 보조금 4억5,800만달러와 최대 5억달러의 정부 대출도 이 프로젝트에 배정돼 있다.

곽노정 CEO는 "오늘은 미국과 SK하이닉스가 AI의 새로운 미래를 함께 시작하는 날"이라며 인디애나를 2030년까지 미국 내 핵심 HBM 생산기지로 키우겠다고 밝혔다. 회사는 이 시점까지 미국 내 총투자·자산 규모가 450억달러를 넘어설 것으로 전망했다. 곽 CEO는 별도로 메모리 공급 부족이 2030년 말까지 이어질 것으로 보이며 "뚜렷한 다운턴 신호가 없다"고 언급했다. SK하이닉스는 올해 1분기 기준 HBM 시장의 약 58%를 점유해 삼성전자·마이크론(각 21% 안팎)을 크게 앞서고 있다.